智慧城市网消息，据SamMobile报道，在过去的几年里，由于芯片制造良率较低和散热问题，三星代工失去了几家芯片客户，而客户选择转投台积电。

超越台积电，消息称三星3nm芯片良率已达60%

智慧城市网消息，据SamMobile报道，在过去的几年里，由于芯片制造良率较低和散热问题，三星代工失去了几家芯片客户，而客户选择转投台积电。现在三星正依靠其即将推出的3nm芯片制造工艺来赢回转投台积电的客户。据悉，三星3nm芯片良率已经超越台积电3nm工艺良率。

据KMIB News报道，投资公司Hi Investment & Securities发布报告称，三星代工4nm半导体制造工艺的良率已突破75%大关。与此同时，台积电的这一比例为80%。半导体制造工艺中的良率意味着有多少半导体晶圆是合格可用的，产量越高，使用半导体晶圆可以制造的芯片数量就越多，从而减少成本和提升效率。虽然台积电在4nm工艺方面仍领先于三星代工，但据报道，三星代工在3nm芯片良率上已经超越台积电。

报道称，三星代工3nm芯片制造工艺的良率达到60%。相比之下，台积电的3nm芯片良率约为55%。由于台积电在3nm领域落后于三星代工，因此三星有可能赢回在4nm和5nm工艺方面输给台积电的客户。

据称，英伟达和高通对三星代工的第二代3nm工艺感兴趣，因为台积电的大部分芯片产能都已被苹果预订。此外，台积电日本和美国工厂生产的芯片成本预计将比中国台湾芯片工厂分别高出15%和30%。

因此，更高的成本和更低的产能相结合可能会让英伟达、高通和其他公司考虑三星代工的3nm芯片制造工艺。AMD还可能向三星代工下订生产3nm和4nm芯片的订单。

为了实现供应链多元化，英伟达甚至愿意使用英特尔代工厂的2nm工艺来制造未来的芯片，该工艺将于2024年底推出。

相比之下，三星代工和台积电计划在2025年使用2nm工艺制造芯片。另外，1.4nm芯片制造工艺将于2027年面世。

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